Elektro- und Fotolumineszenz
Betreuer: Dr. Volker Riede
Das Studium der Lumineszenz an
Halbleitermaterialien bietet eine ausgezeichnete Möglichkeit, Aussagen
über die Bandstruktur, über Dotierungen oder über Exzitonen zu
erhalten.
Die Untersuchungen werden an AIII-BV-Halbleitern und deren
Mischsystemen durchgeführt. Es sind die Spektren von Lumineszenzdioden
zu messen, die in verschiedenen Spektralbereichen strahlen, sowie die
Fotolumineszenz von (Ga, Al) As- und CdS-Proben bei der Temperatur des
flüssigen Stickstoffes. Die optische Anregung erfolgt mit einer
Argon-Ionen-Laser. Die Spektren sind zu interpretieren.
Direkte und indirekte Übergänge sowie die verschiedenen
Rekombinationsmechanismen und die Eigenschaften freier und gebundener
Exzitonen sind zu betrachten. Die Parameter der Meßapparatur
(Wellenlängengenauigkeit, Auflösungsvermögen, Probentemperatur) sind zu
bestimmen.
- Dotierte Halbleiter, Mischkristalle,
- Bandstruktur,
- Elektrische und optische Anregung,
- Rekombinationsmechanismen,
- Bestimmung der Bandübergangsenergien und der Exzitonenbindungsenergien,
- Ermittlung der Zusammensetzung von Mischkristallen,
- Eichung eines Gittermonochromators,
- Eigenschaften des Lasers,
- Druck- und Temperaturmessung.
Versuchsunterlagen