Versuche

1. Kernmagnetische Resonanz
2. Optisches Pumpen
3. Dopplerfreie Rb-Sättigungsspektroskopie
4. Elektro- und Photolumineszenz


5. Rotations-Schwingungsspektren von Molekülen
6. Gitterschwingungen und Effekte freier Ladungsträger in Festkörpern
7. Raman-Spektroskopie an Festkörpern


8. Zeeman-Effekt
9. Hochauflösende Gammaspektroskopie mit dem Ge-Halbleiter-Detektor
10. Alpha-Teilchen-Spektroskopie mit einem Halbleiterdetektor


11. Röntgenbeugung (XRD)
12. Massenspektrometrie von Gasen und einfachen organischen Molekülen
13. Hall-Effekt und elektrische Leitfähigkeit


14. Optische Spektroskopie an Farbzentren und Molekülen
15. Franck-Hertz-Versuch
16. Flussquantisierung in supraleitenden Ringen: Experimente mit einem DC-SQUID


17. Elektronen-Paramagnetische Resonanz
18. Untersuchung von Festkörperoberflächen mit dem Raster-Tunnel-Mikroskop
19. Untersuchung von Festkörperoberflächen mit dem Raster-Kraft-Mikroskop

 

Hall-Effekt und elektrische Leitfähigkeit

Betreuer: Prof. Dr. Michael Lorenz


An Halbleiterproben werden elektrische und galvanomagnetische Messungen durchgeführt, um charakteristische Parameter, wie den spezifischen Widerstand, den Hall-Koeffizienten, die Konzentration und die Beweglichkeit der Ladungsträger zu bestimmen.

a) Die Messungen bei Raumtemperatur an n- und p-leitenden Silizium-Proben definierter Geometrie dienen

Die geometrischen Abmessungen der Probe werden mit einer CCD-Kamera ermittelt.

b) Die Messungen im Temperaturbereich von 77 K bis 300 K an GaAs-Proben nach van der Pauw liefern die Temperaturabhängigkeit


Bedienungsanleitung
Versuchsunterlagen