Elektro- und Photolumineszenz
Betreuer: Dr. Christian Chmelik
Das Studium der Lumineszenz an
Halbleitermaterialien bietet eine ausgezeichnete Möglichkeit,
Aussagen über die Bandstruktur, über Dotierungen oder über
Exzitonen zu erhalten.
Die Untersuchungen werden an AIII-BV-Halbleitern und deren
Mischsystemen durchgeführt. Es sind die Spektren von
Lumineszenzdioden zu messen, die in verschiedenen
Spektralbereichen strahlen, sowie die Photolumineszenz von
(Ga, Al) As- und CdS-Proben bei der Temperatur des flüssigen
Stickstoffes. Die optische Anregung erfolgt mit einer
Argon-Ionen-Laser. Die Spektren sind zu interpretieren.
Direkte und indirekte Übergänge sowie die verschiedenen
Rekombinationsmechanismen und die Eigenschaften freier und
gebundener Exzitonen sind zu betrachten. Die Parameter der
Meßapparatur (Wellenlängengenauigkeit, Auflösungsvermögen,
Probentemperatur) sind zu bestimmen.
- Dotierte Halbleiter, Mischkristalle,
- Bandstruktur,
- Elektrische und optische Anregung,
- Rekombinationsmechanismen,
- Bestimmung der Bandübergangsenergien und der Exzitonenbindungsenergien,
- Ermittlung der Zusammensetzung von Mischkristallen,
- Eichung eines Gittermonochromators,
- Eigenschaften des Lasers,
- Druck- und Temperaturmessung.
