Untersuchung von Festkörperoberflächen mit dem Raster-Kraft-Mikroskop
Betreuer: Dr. S. Vogt
Die
Rasterkraft-Mikroskopie (AFM) hat gegenüber der
Raster-Tunnel-Mikroskopie den Vorzug, auch für elektrisch
isolierende Proben anwendbar zu sein. Außerdem ist der
laterale und der vertikale Scanbereich wesentlich größer. In
diesem Experiment werden eine Reihe von Proben mit
Oberflächenstrukturen im Mikro- und Nanometer-Bereich wie
Speicherschaltkreise, Eichgitter, CD-ROM, ein optisches Gitter
und granulare, nanokristalline Dünnfilme mit dem AFM Easy Scan
im contact mode untersucht.
Als methodische Grundlage werden die repulsiven und
attraktiven Wechselwirkungspotenziale Spitze – Probe bei
Abständen im nm-Bereich betrachtet. Weiter wird die
Wirkungsweise des AFM – Gerätes, der Einfluss der
Federkonstanten des Cantilevers und die statischen und
dynamischen Betriebsmodi contact mode und tapping
mode dargestellt. Zum Vergleich der Ortsauflösung werden
die gleichen Proben an einem Auflichtmikroskop untersucht.
Das Experiment vermittelt einen umfassenden praktischen
Eindruck der Möglichkeiten und Grenzen der
Oberflächenuntersuchung mit einem AFM.